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微電子學門與業界會員
【研討會】2024電子元件暨材料國際研討會假台中麗寶樂園福容大飯店舉辦 (Aug. 19-21)
【研討會】2023電子元件暨材料國際研討會in國立中山大學 (Oct. 19-20)
【研討會】2022電子元件暨材料國際研討會in國立暨南國際大學 (Oct. 27-28)
111年05月27日12:10PM 召開本會第12屆第11次理監事聯席會議
111年02月23日12:00PM 召開本會第12屆第10次理監事聯席會議
【研討會】2021電子元件暨材料國際研討會in國立成功大學 (Nov. 18-19)
110年08月20日10:00AM 召開本會第12屆第8次理監事聯席會議
110年03月13日11:30AM 召開本會第12屆第7次理監事聯席會議
109年10月16日12:40PM 召開本會第12屆第1次會員大會
【研討會】2020電子元件暨材料國際研討會in長庚大學 (Oct. 15-16)
歡迎推薦人選「傑出成就獎」收案至9月15日前截止!
109年07月14日 召開本會第12屆第4次理監事聯席會議
109年05月26日 召開本會第12屆第3次理監事聯席會議
109年04月07日 召開本會第12屆第2次理監事聯席會議
109年02月26日 召開本會第12屆第1次常務理監事會議
2017.9.6-8 International Electron Devices & Materials Symposium 2017
2017.10.18-20 EDSSC將於國立清華大學舉行
9th International Conference on Molecular Electronics and Bioelectronics (26-28 June, 2017, in Kanazawa, Japan)
本會每月新知一欄-->歡迎會員及產學業界朋友們踴躍投稿!
新世代積體電路製程技術手冊已經出版囉！ (每本贊助價550元 / 472頁/未含運費)
電子材料導論已經出版囉！ (每本贊助價650元 / 602頁/未含運費)
[每月新知]
111年9-10月
(1)Low-frequency-drop of electroabsorption modulated lasers and the improvement with partially corrugated grating based DFB lasers
(2)A 10-Bit 1280 × 720 Micro-LED Display Driver with 2-Transistor Pixel Circuits and Current-Mode Pulse Width Modulation
[每月新知]
111年7-8月
(1)Energy-Saving Logic Gates Utilizing Coupling Phenomenon Between MIS(p) Tunneling Diodes
(2)Fabrication and Characterization of Flexible AlGaN/GaN HEMTs on Kapton Tape
(3)特刊 TSMC Commits to Nanosheet Technology at 2 nm Node
[每月新知]
111年5-6月
(1)The First Embedded 14nm FeFinFET NVM: 2T1CFE Array as Electrical Synapses and Activations for High-Performance and Low-Power Inference Accelerators
(2)Enhancement-Mode InAlN/GaN Power MOSHEMT on Silicon With Schottky Tri-Drain Extension
[每月新知]
111年3-4月
(1)First Demonstration of Heterogeneous IGZO/Si CFET Monolithic 3-D Integration With Dual Work Function Gate for Ultralow-Power SRAM and RF Applications
(2)Structural optimization and miniaturization for Split-Gate Trench MOSFETs with 60 V breakdown voltage
[每月新知]
111年1-2月
(1)A Study on the Isolation Ability of LOCal Oxidation of SiC (LOCOSiC) for 4H-SiC CMOS Process
(2)Charge Storage of Isolated Monolayer Molybdenum Disulfide in Epitaxially Grown MoS2/Graphene Heterostructures for Memory Device Applications
[每月新知]
110年11-12月
(1)A Unique Approach to Generate Self-Aligned T-Gate Transistors in Counter-Doped Poly-Si with High Etching Selectivity and Isotropy
(2)Low-Temperature (70°C) Cu-to-Cu Direct Bonding by Capping Metal Layers
[每月新知]
110年9-10月
(1)Tunable diameter and spacing of double Ge quantum dots using highly-controllable spacers and selective oxidation of SiGe
(2)Selective area growth of InAs nanowires from SiO2/Si(1 1 1) templates direct-written by focused helium ion beam technology
[每月新知]
110年7-8月
(1)Light-Controlled Gap-Type TFT Used for Large-Area Under-Screen Fingerprint Sensor
(2)First Demonstration of Multi-VT Stacked Ge0.87Sn0.13 Nanosheets by Dipole-Controlled ALD WNxCy Work Function Metal with Low Resistivity and Thermal Budget ≤ 400 ℃
[每月新知]
110年5-6月
(1)Miniaturized Flexible Piezoresistive Pressure Sensors: Poly(3,4- ethylenedioxythiophene):Poly(styrenesulfonate) Copolymers Blended with Graphene Oxide for Biomedical Applications
(2)Bidirectional All-Optical Synapses Based on 2D Bi2O2Se/Graphene Hybrid Structure for Multifunctional Optoelectronics
[相關期刊論文]
One-Step Formation of a Single Atomic-Layer Transistor by the Selective Fluorination of a Graphene Film(同步選擇性氟化之石墨烯電晶體製造)
文章出處：
Small 2014, 10, No. 5, 989–997
[期刊資訊]
電子資訊第20卷第2期
IEEE ICCE-Taiwan: Call for Papers
