第一章

總論

• 1.電晶體與積體電路的發明
• 2.積體電路製程技術
• 3.關於摩爾定律
• 4.記憶體積體電路的發展
• 5.新摩摩爾定律

第二章

擴散模組

• 1.前言
• 2.熱氧化
• 3.先進CMOS積體電路離子佈植

第三章

薄膜模組

• 1.金屬化製程的金屬材料源及製程方式
• 2.金屬薄膜物理氣相沉積
• 3.金屬薄膜化學氣相沉積
• 4.金屬薄膜化學電鍍沉積
• 5.金屬化薄膜在IC製程上的應用
• 6.介電層的介紹
• 7.化學氣相沉積
• 8.介電層化學氣相沉積反應器類型
• 9.介電層化學氣相沉積製程的薄膜特性
• 10.介電層在積體電路製造的應用

第四章

微影模組

• 1.前言
• 2.光阻性質
• 3.微米與次微米曝光系統
• 4.先進奈米曝光系統與技術
• 5.微影模組關鍵因素與考量
• 6.微影模組技術的趨勢

第五章

蝕刻模組

• 1.前言
• 2.蝕刻技術原理
• 3.濕式蝕刻
• 4.乾式蝕刻
• 5.先進蝕刻製程技術與應用

第六章

High-k介電層製程(I):材料與整合製程

• 1.前言
• 2.高介電係數介電層的需求與特性
• 3.高介電係數介電層的元件製程
• 4.高介電係數介電層/金屬閘極元件的物理和電性特性

第七章

High-k介電層製程(II):應用

• 1.前言
• 2.高介電係數材料在SONOS記憶體上的應用
• 3.高介電係數材料在奈米晶體記憶體上的應用
• 4.高介電係數材料在電阻式記憶體上的應用
• 5.高介電係數材料在感測場效電晶體上的應用

第八章

應變矽製程

• 1.應變矽工程的理論基礎
• 2.全面性應變(矽鍺緩衝層結構)
• 3.區域性應變(製程造成)
• 4.先進應變矽元件製程技術

第九章

SOI製程

• 1.前言
• 2.SOI MOSFET操作原理
• 3.SOI原件之應用
• 4.新型SOI原件
• 5.SOI元件未來發展與展望
• 6.結論

第十章

非揮發性記憶體製程

• 1.前言
• 2.載子注入型記憶體發展
• 3.相變化記憶體
• 4.磁阻隨機存取記憶體
• 5.鐵電隨機存取記憶體
• 6.電阻式隨機存取記憶體

第十一章

動態隨機存取記憶體技術

• 1.前言
• 2.DRAM簡介
• 3.DRAM的工作原理
• 4.DRAM記憶單元技術
• 5.週邊電路元件技術及其它
• 6.DRAM未來之發展
• 7.結論

第十二章

新世代邏輯製程應用

• 1. 前言
• 2. 邏輯製程平台-微型化
• 3. 嵌入式記憶體
• 4. 整合類比射頻與高電壓元件
• 5. 整合感測與致動元件

第十三章

三維積體電路製程

• 1.前言
• 2.晶圓級三維積體電路製程
• 3.三維積體電路系統構裝技術
• 4.三維積體電路製程技術在微系統的應用
• 5.三維積體電路優點與挑戰